設備配置 | 1 Soak、1 Stripper、1 Clean |
設備產能 | 40WPH |
襯底材質 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN |
適用工藝 | 金屬剝離、光刻膠去除 |
工藝指標 | 顆??刂?le;20ea@0.2μm,金屬去除率>99%,光刻膠去除率>99% |
應用領域 | 先進封裝、MEMS、功率器件、射頻集成電路、半導體光學、光通訊、科研等 |
技術特征 | ?設備為全自動機臺,可自動完成去膠、金屬剝離工藝; ?設備配置浸泡、去膠、清洗三種工藝腔體,浸泡單元采用浸泡和超聲波輔助對晶圓表面的光刻膠溶解; ?去膠單元采用高壓柱狀或扇狀噴嘴對晶圓表面的金屬和光刻膠進行去除; ?清洗單元將晶圓表面的去膠液和顆粒清洗干凈,最終實現(xiàn)晶圓的干進干出; ?去膠液循環(huán)系統(tǒng)采用多級過濾,可實現(xiàn)循環(huán)使用。 |
設備尺寸 | 2000*1950*2500(W*D*H) |